17/12/2014
«Томскнефтехим» получит 1,4 миллиарда рублей от местного правительства в качестве субсидий
Правительство Томской области компенсировало две трети инвестиционных затрат «Сибура», направленных на строительство производства биаксиально-ориентированной полипропиленовой пленки (БОПП-пленки) на площадке «Томскнефтехима». Об этом местным СМИ заявил вице-губернатор по инвестиционной политике и имущественным отношениям Юрий Гурдин.
Согласно постановлению, принятому губернатором области, инвесторам возмещается часть затрат на производство, реализацию товаров, выполнение работ за счет налоговых поступлений, полученных от инвестпроекта. При этом на частичную компенсацию затрат могут претендовать только те проекты, объемы инвестиций в которые составляют свыше 1 млрд рублей (для новых производств) или свыше 6 млрд рублей (для модернизации действующих). Власти намерены вернуть инвестиции за счет поступающих налогов от предприятия.
Ю. Гурдин добавил, что также предполагается выделить средства на компенсацию расходов для проекта модернизации «Томскнефтехима». Администрация Томской области уже заложила в региональный бюджет на следующий год 1,38 млрд рублей субсидий для томской площадки «Сибура».
Другие новости этого раздела:
21/10/2026
Китай установил тарифные квоты на импорт удобрений в 2027 году
Группа «Акрон» в 2025 году инвестировала 6,2 млрд рублей в мероприятия по устойчивому развитию
08/10/2026
Производство редкоземельных металлов в Казахстане получит 150 млн долларов инвестиций
Финансирование нацпроекта "Новые материалы и химия" в 2027 году составит 15,8 млрд рублей
На грузовые шины из Таиланда и Вьетнама введут повышенные пошлины
06/10/2026
"Уралкалий" в I полугодии увеличил производство хлористого калия на 5%
28/09/2026
В России введена обязательная маркировка отдельных видов удобрений в потребительской упаковке
23/09/2026
Dangote Group объявила о планах IPO в 2028 году
18/09/2026
В Китае открыли новый важный канал для логистики химпродукции
Рейтинговое агентство AK&M присвоило Группе «Акрон» рейтинг ESG-отчетности на уровне Resg1





